12月20日音书bt工厂最新地址，据Cnews报导，俄罗斯已公布自主研发的光刻机阶梯图，贪图是打造比ASML 系统更经济的EUV光刻机。这些光刻机将摄取波长为11.2nm的镭射光源，而非ASML 使用的尺度13.5nm波长。因此，新技巧无法与现存EUV 基础时势相容，需要俄罗斯自行拓荒配套的曝光生态系统，可能需要数年以致十年以上期间。
该光刻机拓荒操办由俄罗斯科学院微不雅结构物理商讨所的Nikolay Chkhalo 指令，贪图是制造出性能具竞争力且具本钱上风的光刻机。具体来说，俄罗斯将摄取11.2nm的氙（xenon）基镭射光源，取代ASML 的基于激光轰击金属锡（tin）液滴产生EUV光源的系统。Chkhalo 示意bt工厂最新地址，11.2nm的波长能将分散率耕作约20%，不仅不错简化瞎想并裁汰光学元件的本钱，还能呈现更密致的细节。此外，该瞎想可减少光学元件的混浊，蔓延荟萃器和保护膜等要害零件的寿命。
俄罗斯曝光机还可使用硅基光阻剂，预期在较短波长下将具备更出色的性能泄露。尽管该光刻机的晶圆制造产能仅为ASML 缔造的37%，主要因为其光源功率仅3.6 千瓦，但也足以粗野小规模芯片坐蓐需求。
探花av尽管11.2nm波长仍属于顶点紫外线光（EUV）谱范畴，但这并非单纯的小幅救助。因为扫数光学元件包括反射镜、涂层、光罩瞎想以及光阻剂，齐需要针对新的波前途行很是瞎想与优化。因此，镭射光源、光阻化学、混浊截至偏捏他支援技巧也须从头瞎想，智商确保在11.2nm波长下的有用运作。
以11.2nm波长为基础的器用很难径直兼容现存以13.5nm为基础EUV 架构与生态系统，以致连电子瞎想自动化（EDA）器用也需要进行更新。诚然现存EDA 器用仍可完成逻辑合成、布局和路由等基本法子，但波及曝光的要害制程，如光罩云尔准备、光学掌握改换（OPC）妥协析度增强技巧（RET），则需要从头校准或升级为适合11.2nm的新制程模子。
据报导，该光刻机的拓荒责任将分为三个阶段bt工厂最新地址，第一阶段将聚焦于基础商讨、要害技巧辨识与初步元件测试；第二阶段将制造每小时可搞定60 片200 毫米晶圆的原型机，并整合至国内芯片坐蓐线；第三阶段的贪图是打造一套可供工场使用的系统，每小时可搞定60 片300 毫米晶圆。现在还不分解这些新的曝光器用将支援哪些制程技巧，阶梯图也未提到各阶段完成的期间表。